Характеристики
:Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
:Drain Gate On-Capacitance
10пФ
:Id - непрерывный ток утечки
50 mA
:Idss Drain-Source Cut-off Current
10 → 17mA
:Maximum Continuous Drain Current (mA)
50
:Maximum Drain Gate Voltage
-15V
:Maximum Drain Gate Voltage (V)
-15
:Maximum Drain Source Voltage
15 V
:Maximum Drain Source Voltage (V)
15
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Operating Temperature (C)
150
:Maximum Power Dissipation (mW)
200
:Minimum Drain Saturation Current (mA)
10
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Package Height
1.25(Max)
:Package Length
3.05(Max)
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Source Gate On-Capacitance
3pF
:Standard Package Name
SC
:Transistor Configuration
Single
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
:Подкатегория
Transistors
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
3000
:Ток стока при Vgs=0
50 mA
:Торговая марка
ON Semiconductor
Semiconductors N-канальный JFET, ON Semiconductor
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.