Drain Gate On-Capacitance
10pF
Id - непрерывный ток утечки
50 mA
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Operating Temperature
+150 C
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
15 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
Запирающий ток сток-исток Idss
16 → 32mA
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Semiconductors N-канальный JFET, ON Semiconductor