Характеристики
:Drain Gate On-Capacitance
10pF
:Id - непрерывный ток утечки
50 mA
:Maximum Drain Gate Voltage
-15V
:Maximum Drain Source Voltage
15 V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Source Gate On-Capacitance
2.9pF
:Vds - напряжение пробоя затвор-исток
15 V
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
:Запирающий ток сток-исток Idss
16 → 32mA
:Конфигурация транзистора
Одинарный
:Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Semiconductors N-канальный JFET, ON Semiconductor
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.