Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Drain Gate On-Capacitance
10пФ
Id - непрерывный ток утечки
50 mA
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 → 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Operating Temperature
+150 C
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Transistor Configuration
Single
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
15 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
Категория продукта
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
35 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Максимальное напряжение сток-затвор
15 V
Напряжение отсечки затвор-исток
0.7 V
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF JFET Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Semiconductors N-канальный JFET, ON Semiconductor