Характеристики
Idss Drain-Source Cut-off Current:
1.2 → 3.0mA
Maximum Drain Gate Voltage:
-50V
Maximum Operating Temperature:
+125 C
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Конфигурация транзистора:
Одинарный
Тип корпуса:
SOT-346 (SC-59)
Semiconductors N-канальный JFET, Toshiba
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.