Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 → 3.0mA
Maximum Drain Gate Voltage
-50V
Maximum Operating Temperature
+125 C
Minimum Operating Temperature
-55 C
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип корпуса
SOT-346 (SC-59)
Semiconductors N-канальный JFET, Toshiba