Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

2SC5200OTU, Транзистор

Модель:
2SC5200OTU
Артикул:
8000732551
Наличие:
1000
Производитель:
ON Semiconductor
360 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Base Product Number
2SC5200 -&gt,
Brand
ON Semiconductor
Current - Collector (Ic) (Max)
17A
Current - Collector Cutoff (Max)
5ВA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Dimensions
20 x 5 x 26mm
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
30MHz
Height
26mm
HTSUS
8541.29.0075
Length
20mm
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Emitter Voltage
250 В
Maximum DC Collector Current
17 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 C
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Minimum Operating Temperature
-50 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature
-50ВC ~ 150ВC (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Package Type
TO-264
Pd - рассеивание мощности
150000 mW
Pin Count
3
Power - Max
150W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264-3
Transistor Configuration
Single
Transistor Material
Si
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Width
5мм
Вид монтажа
Through Hole
Высота
26mm
Длина
20мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Количество элементов на ИС
1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
80
Конфигурация
Single
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Максимальная рабочая частота
30 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Максимальный пост. ток коллектора
17 A
Максимальный постоянный ток коллектора
15 A
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-50 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
55
Напряжение коллектор-база (VCBO)
230 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
230 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
30 MHz
Размер фабричной упаковки
375
Серия
2SC5200
Технология
Si
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-264-3
Число контактов
3
Ширина
5 mm
Semiconductors Силовые транзисторы NPN, Fairchild Semiconductor
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
От 1 дня
Овердрафт
Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.
Гарантия
Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*
Подбор аналогов
Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности