Base Product Number
2SC5200 ->,
Current - Collector (Ic) (Max)
17A
Current - Collector Cutoff (Max)
5ВA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition
30MHz
Maximum Collector Base Voltage
250 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Emitter Voltage
250 В
Maximum DC Collector Current
17 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 C
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Minimum Operating Temperature
-50 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature
-50ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Pd - рассеивание мощности
150000 mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264-3
Transistor Configuration
Single
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Количество элементов на ИС
1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
80
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Максимальная рабочая частота
30 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Максимальный пост. ток коллектора
17 A
Максимальный постоянный ток коллектора
15 A
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-50 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
55
Напряжение коллектор-база (VCBO)
230 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
230 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Полярность транзистора
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
30 MHz
Размер фабричной упаковки
375
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild