[]

5 отзывов

2SC5200OTU, Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

Name: 2SC5200OTU, Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8002306409
Price: 525.0000 RUB

Модель:

2SC5200OTU

Артикул:

8002306409

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

525 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

2SC5200 -&gt,

Brand

ON Semiconductor

Current - Collector (Ic) (Max)

17A

Current - Collector Cutoff (Max)

5ВA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Dimensions

20 x 5 x 26mm

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

30MHz

Height

26mm

HTSUS

8541.29.0075

Length

20mm

Maximum Collector Base Voltage

250 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Emitter Voltage

250 V

Maximum DC Collector Current

17 A

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Maximum Operating Frequency

30 MHz

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

150 W

Minimum DC Current Gain

Minimum Operating Temperature

-50 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Number of Elements per Chip

Operating Temperature

-50ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

Package Type

TO-264

Pd - рассеивание мощности

150000 mW

Pin Count

Power - Max

150W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264-3

Transistor Configuration

Single

Transistor Material

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

250V

Width

5mm

Вид монтажа

Through Hole

Высота

26mm

Длина

20мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Количество элементов на ИС

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe

Конфигурация

Single

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Максимальная рабочая частота

30 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Максимальный пост. ток коллектора

17 A

Максимальный постоянный ток коллектора

15 A

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-50 C

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Напряжение коллектор-база (VCBO)

230 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

230 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

30 MHz

Размер фабричной упаковки

375

Серия

2SC5200

Технология

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-264-3

Число контактов

Ширина

5 mm

• Отличная линейность усиления при низких значениях THD
• Дополнение к 2SA1943
• FJL4215
• Широкая SOA для надежной работы
• Высокий уровень рассеивания мощности (150Вт)
• Высокая частота (30МГц)
• Высокое напряжение (VCEO = 250В)

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2SC5200OTU, Trans GP BJT NPN 250V 17A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?