Консультация по телефону 8 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
cart
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F

Модель:
2N7002T
Артикул:
8002515646
Наличие:
1000
Производитель:
ON Semiconductor
40 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Доставка
Оплата
Характеристики
:Brand
ON Semiconductor
:Channel Mode
Enhancement
:Channel Type
N
:Height
0.78mm
:Id - непрерывный ток утечки
115 mA
:Length
1.7мм
:Maximum Continuous Drain Current
115 mA
:Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
:Maximum Drain Source Voltage
60 В
:Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Power Dissipation
200 mW
:Minimum Gate Threshold Voltage
1V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Number of Elements per Chip
1
:Package Type
SOT-523 (SC-89)
:Pd - рассеивание мощности
200 mW
:Pin Count
3
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
:Transistor Configuration
Одинарный
:Transistor Material
Si
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
:Width
0.98mm
:Вид монтажа
SMD/SMT
:Высота
0.78 mm
:Длина
1.6 mm
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Конфигурация
Single
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Подкатегория
MOSFETs
:Полярность транзистора
N-Channel
:Продукт
MOSFET Small Signal
:Размер фабричной упаковки
3000
:Серия
2N7002T
:Технология
Si
:Тип продукта
MOSFET
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичное время задержки выключения
12.5 ns
:Типичное время задержки при включении
5.85 ns
:Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
:Упаковка / блок
SOT-523-3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
  • Доставка товара:
    • Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
    • Вес груза: 1 кг
    • Объем груза: 0.1 м³
  • Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 
  • Порядок работы:
    • Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
    • Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
    • Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
    • После оплаты товар отправляется на склад.
  • Порядок оплаты:
    • 100% предоплата на счет Поставщика.
    • Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
Описание большое в несколько строчек
Овердрафт
Описание большое в несколько строчек
Гарантия
Описание большое в несколько строчек
Подбор аналогов
Описание большое в несколько строчек
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности