[]

5 отзывов

2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F

Name: 2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8002515646
Price: 40.0000 RUB

Модель:

2N7002T

Артикул:

8002515646

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

40 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Brand

ON Semiconductor

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Height

0.78mm

Id - непрерывный ток утечки

115 mA

Length

1.7мм

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Gate Threshold Voltage

Minimum Operating Temperature

-55 C

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Number of Elements per Chip

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Pin Count

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Transistor Configuration

Одинарный

Transistor Material

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Width

0.98mm

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.78 mm

Длина

1.6 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2N7002T

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

12.5 ns

Типичное время задержки при включении

5.85 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-523-3

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2N7002T, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,073А, 0,2Вт, SOT523F

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?