Консультация по телефону 8 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
cart
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523

Модель:
2N7002T-7-F
Артикул:
8002633004
Наличие:
1000
Производитель:
Diodes Incorporated
38 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Доставка
Оплата
Характеристики
Automotive:
No
Base Product Number:
2N7002 -&gt,
Brand:
DiodesZetex
Channel Mode:
Поднятие
Channel Type:
N
Configuration:
Single
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC:
115mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss):
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
ECCN:
EAR99
ECCN (US):
EAR99
EU RoHS:
Compliant
FET Type:
N-Channel
Height:
0.8мм
HTS:
8541.29.00.95
HTSUS:
8541.21.0095
Id - непрерывный ток утечки:
115 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
50pF @ 25V
Lead Shape:
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current:
115 мА
Maximum Continuous Drain Current (A):
0.115
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25C (A):
0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm):
7500@5V
Maximum Drain Source Voltage:
60 В
Maximum Drain Source Voltage (V):
60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA):
10
Maximum Gate Source Voltage:
-20 В, +20 В
Maximum Gate Source Voltage (V):
20
Maximum Gate Threshold Voltage:
2V
Maximum Gate Threshold Voltage (V):
2
Maximum IDSS (uA):
1
Maximum Operating Temperature (C):
150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V):
20
Maximum Power Dissipation (mW):
150
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25C (W):
0.15
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25C (A):
0.8
Military:
No
Minimum Gate Threshold Voltage (V):
1
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Minimum Operating Temperature (C):
-55
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting:
Surface Mount
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Number of Elements per Chip:
1
Operating Junction Temperature (C):
-55 to 150
Operating Temperature:
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
SOT-523
Package Height:
0.75
Package Length:
1.6
Package Width:
0.8
Packaging:
Tape and Reel
Part Status:
Active
PCB changed:
3
Pd - рассеивание мощности:
150 mW
Pin Count:
3
Power Dissipation (Max):
150mW (Ta)
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC):
150mW
Product Category:
Small Signal
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Rds On - Drain-Source Resistance:
7.5О @ 50mA,5V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
7.5 Ohms
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Standard Package Name:
SOT
Supplier Device Package:
SOT-523
Supplier Package:
SOT-523
Supplier Temperature Grade:
Commercial
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Configuration:
Одинарный
Transistor Polarity:
N Channel
Typical Input Capacitance @ Vds (pF):
22@25V
Typical Output Capacitance (pF):
11
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF):
2@25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns):
11
Typical Turn-On Delay Time (ns):
7
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
60V
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs (Max):
В20V
Vgs - Gate-Source Voltage:
2V @ 250uA
Vgs - напряжение затвор-исток:
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
1 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250ВA
Width:
0.85мм
Вес, г:
0.02
Вид монтажа:
SMD/SMT
Высота:
0.8мм
Длина:
1.7мм
Канальный режим:
Enhancement
Категория:
Малый сигнал
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Количество элементов на ИС:
1
Конфигурация:
Single
Конфигурация транзистора:
Одинарный
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
80 mS
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Максимальное рассеяние мощности:
150 мВт
Максимальное сопротивление сток-исток:
13,5 Ω
Максимальный непрерывный ток стока:
115 mA
Материал транзистора:
Кремний
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Номер канала:
Поднятие
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
N-Channel
Продукт:
MOSFET Small Signal
Производитель:
DiodesZetex
Размер фабричной упаковки:
3000
Размеры:
1.7 x 0.85 x 0.8мм
Серия:
2N7002
Технология:
Si
Тип:
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Тип канала:
N
Тип корпуса:
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичная входная емкость при Vds:
22 пФ при 25 В
Типичное время задержки включения:
7 ns
Типичное время задержки выключения:
11 ns
Типичное время задержки при включении:
7 ns
Торговая марка:
Diodes Incorporated
Упаковка / блок:
SOT-523-3
Число контактов:
3
Ширина:
0.85
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
  • Доставка товара:
    • Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
    • Вес груза: 1 кг
    • Объем груза: 0.1 м³
  • Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 
  • Порядок работы:
    • Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
    • Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
    • Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
    • После оплаты товар отправляется на склад.
  • Порядок оплаты:
    • 100% предоплата на счет Поставщика.
    • Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
Описание большое в несколько строчек
Овердрафт
Описание большое в несколько строчек
Гарантия
Описание большое в несколько строчек
Подбор аналогов
Описание большое в несколько строчек
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности