[]

2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

5 отзывов

2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

Модель:

2N7002PW,115

Артикул:

8008637253

Наличие:

1000

Производитель:

Nexperia

16 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

2N7002 -&gt,

Brand

Nexperia

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

310mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Height

1mm

HTSUS

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки

310 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Length

2.2mm

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

260 mW

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Number of Elements per Chip

1

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case

SC-70, SOT-323

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Pin Count

3

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta)

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Single

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs (Max)

В20V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.1 V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВA

Width

1.35mm

Вес, г

0.1

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

5 ns

Высота

1 mm

Длина

2.2 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

10 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35 mm

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги