2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

Модель:

2N7002PW,115

Артикул:

8008637253

Наличие:

1000

Производитель:

Nexperia

16 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

Base Product Number:

2N7002 -&gt,

Brand:

Nexperia

Channel Mode:

Enhancement

Channel Type:

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

310mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss):

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

10V

ECCN:

EAR99

FET Type:

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

0.8nC @ 4.5V

Height:

1mm

HTSUS:

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки:

310 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

50pF @ 10V

Length:

2.2mm

Maximum Continuous Drain Current:

310 mA

Maximum Drain Source Resistance:

1.6 Ω

Maximum Drain Source Voltage:

60 V

Maximum Gate Source Voltage:

-20 V, +20 V

Maximum Gate Threshold Voltage:

2.4V

Maximum Operating Temperature:

+150 C

Maximum Power Dissipation:

260 mW

Minimum Gate Threshold Voltage:

1.1V

Minimum Operating Temperature:

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Surface Mount

Number of Elements per Chip:

Operating Temperature:

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package:

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case:

SC-70, SOT-323

Package Type:

SOT-323 (SC-70)

Pd - рассеивание мощности:

310 mW

Pin Count:

Power Dissipation (Max):

260mW (Ta)

Qg - заряд затвора:

0.6 nC

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

1.6 Ohms

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package:

SOT-323

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration:

Single

Transistor Material:

Typical Gate Charge @ Vgs:

0.6 nC

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

60 V

Vgs (Max):

В20V

Vgs - напряжение затвор-исток:

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:

1.1 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.4V @ 250ВA

Width:

1.35mm

Вес, г:

0.1

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

4 ns

Время спада:

5 ns

Высота:

1 mm

Длина:

2.2 mm

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Продукт:

MOSFET Small Signal

Размер фабричной упаковки:

3000

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения:

10 ns

Типичное время задержки при включении:

3 ns

Торговая марка:

Nexperia

Упаковка / блок:

SOT-323-3

Ширина:

1.35 mm

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?