Base Product Number:
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
320mA
Drain to Source Voltage (Vdss):
60V
FET Feature:
Logic Level Gate
FET Type:
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.8nC @ 4.5V
Id - непрерывный ток утечки:
320 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
50pF @ 10V
Maximum Gate Threshold Voltage:
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage:
1.1V
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Surface Mount
Operating Temperature:
150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pd - рассеивание мощности:
280 mW
Qg - заряд затвора:
800 pC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
1 Ohms
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package:
6-TSSOP
Transistor Configuration:
Одинарный
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
1.1 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.4V @ 250ВA
Другие названия товара №:
934064134115
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
2 Channel
Количество элементов на ИС:
1
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Максимальное рассеяние мощности:
420 мВт
Максимальное сопротивление сток-исток:
2 Ω
Максимальный непрерывный ток стока:
320 мА
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Полярность транзистора:
N-Channel
Продукт:
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки:
3000
Размеры:
2.2 x 1.35 x 1мм
Тип корпуса:
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Тип транзистора:
2 N-Channel
Типичная входная емкость при Vds:
30 пФ при 10 В
Типичное время задержки включения:
3 нс
Типичное время задержки выключения:
10 нс
Типичное время задержки при включении:
3 ns
Типичный заряд затвора при Vgs:
0,6 нКл
Упаковка / блок:
SOT-363-6