:Base Product Number
2N7002 ->,
:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
320mA
:Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
:FET Feature
Logic Level Gate
:FET Type
2 N-Channel (Dual)
:Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
:Id - непрерывный ток утечки
320 mA
:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
:Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
:Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Surface Mount
:Operating Temperature
150ВC (TJ)
:Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
:Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
:Pd - рассеивание мощности
280 mW
:Qg - заряд затвора
800 pC
:Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 Ohms
:REACH Status
REACH Unaffected
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Supplier Device Package
6-TSSOP
:Transistor Configuration
Одинарный
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
:Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250ВA
:Другие названия товара №
934064134115
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
2 Channel
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
:Максимальное напряжение сток-исток
60 В
:Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
:Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
:Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Продукт
MOSFET Small Signal
:Размер фабричной упаковки
3000
:Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
:Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
:Тип монтажа
Поверхностный монтаж
:Тип транзистора
2 N-Channel
:Типичная входная емкость при Vds
30 пФ при 10 В
:Типичное время задержки включения
3 нс
:Типичное время задержки выключения
10 нс
:Типичное время задержки при включении
3 ns
:Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл
:Упаковка / блок
SOT-363-6