Base Product Number
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
320mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
FET Feature
Logic Level Gate
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
Id - непрерывный ток утечки
320 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150ВC (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pd - рассеивание мощности
280 mW
Qg - заряд затвора
800 pC
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 Ohms
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Transistor Configuration
Одинарный
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250ВA
Другие названия товара №
934064134115
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Минимальная рабочая температура
-55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичная входная емкость при Vds
30 пФ при 10 В
Типичное время задержки включения
3 нс
Типичное время задержки выключения
10 нс
Типичное время задержки при включении
3 ns
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл
Упаковка / блок
SOT-363-6