Base Product Number
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
270mA (Ta), 330mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 10V
Id - непрерывный ток утечки
270 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23.6pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности
400 mW
Power Dissipation (Max)
310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.8 Ohms
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Mounting
Surface Mount
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВA
Другие названия товара №
934661282215
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
270мА
Полярность транзистора
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
Размер фабричной упаковки
3000
Рассеиваемая мощность
310мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
2.2Ом
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
6.9 ns
Типичное время задержки при включении
4.7 ns