Base Product Number
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
190mA (Ta), 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
430pC @ 4.5V
Id - непрерывный ток утечки
300 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности
325 mW
Power Dissipation (Max)
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Qg - заряд затвора
0.33 nC
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 100mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.5 Ohms
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Mounting
Surface Mount
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВA
Другие названия товара №
934661281215
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
190мА
Полярность транзистора
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
Размер фабричной упаковки
3000
Рассеиваемая мощность
265мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
3Ом
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236AB
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки при включении
6 ns
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 60V N-CHANNEL SGL TRENCH