Base Product Number:
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
190mA (Ta), 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss):
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
430pC @ 4.5V
Id - непрерывный ток утечки:
300 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
20pF @ 10V
Mounting Type:
Surface Mount
Operating Temperature:
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности:
325 mW
Power Dissipation (Max):
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Qg - заряд затвора:
0.33 nC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5Ohm @ 100mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
4.5 Ohms
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package:
TO-236AB
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Mounting:
Surface Mount
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
1.1 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 250ВA
Другие названия товара №:
934661281215
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Количество каналов:
1 Channel
Максимальная рабочая температура:
150 C
Минимальная рабочая температура:
55 C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
60В
Непрерывный Ток Стока:
190мА
Полярность транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1.6В
Размер фабричной упаковки:
3000
Рассеиваемая мощность:
265мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
3Ом
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-236AB
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
11 ns
Типичное время задержки при включении:
6 ns
Упаковка / блок:
SOT-23-3