Name: 2N7002H6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT23
Brand: Infineon Technologies
SKU: 8002572977
Price: 11.0000 RUB

2N7002H6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT23

Модель:

2N7002H6327XTSA2

Артикул:

8002572977

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

11 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Base Product Number

2N7002 -&gt,

Brand

Infineon

Channel Mode

Поднятие

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

300mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки

300 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

500 mW

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Minimum Operating Temperature

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package Type

SOT-23

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Pin Count

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Qg - заряд затвора

600 pC

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

OptiMOSв„ў -&gt,

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Одинарный

Transistor Material

Кремний

Typical Gate Charge @ Vgs

0.4 nC @ 10 V

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs (Max)

В20V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВA

Вес, г

0.5

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.3 ns

Время спада

3.1 ns

Высота

1мм

Длина

2.9мм

Другие названия товара №

2N7002 H6327 SP000929182

Канальный режим

Enhancement

Категория

Малый сигнал

Категория продукта

МОП-транзистор

Квалификация

AEC-Q101

Количество каналов

1 Channel

Количество элементов на ИС

Конфигурация

Single

Конфигурация транзистора

Одинарный

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

200 mS

Максимальная рабочая температура

+150 C

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 C

Номер канала

Поднятие

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Производитель

Infineon

Размер фабричной упаковки

3000

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Серия

OptiMOS

Технология

Тип канала

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичная входная емкость при Vds

13 пФ при 25 В

Типичное время задержки включения

3 нс

Типичное время задержки выключения

5,5 нс

Типичное время задержки при включении

3 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

0,4 нКл при 10 В

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Число контактов

Ширина

1.3мм

Малосигнальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2N7002H6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT23

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?