Base Product Number:
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss):
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.6nC @ 10V
Id - непрерывный ток утечки:
300 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
20pF @ 25V
Maximum Continuous Drain Current:
300 mA
Maximum Gate Source Voltage:
-20 В, +20 В
Maximum Gate Threshold Voltage:
2.5V
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
500 mW
Minimum Gate Threshold Voltage:
1.35V
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Operating Temperature:
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности:
500 mW
Power Dissipation (Max):
500mW (Ta)
Qg - заряд затвора:
600 pC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 500mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
1.6 Ohms
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package:
SOT-23-3
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Configuration:
Одинарный
Transistor Material:
Кремний
Typical Gate Charge @ Vgs:
0.4 nC @ 10 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
1.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250ВA
Другие названия товара №:
2N7002 H6327 SP000929182
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Количество элементов на ИС:
1
Конфигурация транзистора:
Одинарный
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
200 mS
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток:
60 В
Максимальное пороговое напряжение включения:
2.5V
Максимальное рассеяние мощности:
500 мВт
Максимальное сопротивление сток-исток:
4 Ω
Максимальный непрерывный ток стока:
300 мА
Материал транзистора:
Кремний
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Полярность транзистора:
N-Channel
Размер фабричной упаковки:
3000
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичная входная емкость при Vds:
13 пФ при 25 В
Типичное время задержки включения:
3 нс
Типичное время задержки выключения:
5,5 нс
Типичное время задержки при включении:
3 ns
Типичный заряд затвора при Vgs:
0,4 нКл при 10 В
Торговая марка:
Infineon Technologies
Упаковка / блок:
SOT-23-3