[]

5 отзывов

2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

Name: 2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363
Brand: Infineon Technologies
SKU: 8002673067
Price: 14.0000 RUB

Модель:

2N7002DWH6327XTSA1

Артикул:

8002673067

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

14 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

2N7002 -&gt,

Brand

Infineon

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

300mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Feature

Logic Level Gate

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки

300 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Length

2мм

Maximum Continuous Drain Current

300 мА

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Operating Temperature

+150 C

Minimum Operating Temperature

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Power - Max

500mW

Qg - заряд затвора

600 pC

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

OptiMOS

Supplier Device Package

PG-SOT363-6

Transistor Configuration

Изолированный

Transistor Material

Кремний

Typical Gate Charge @ Vgs

0.4 nC @ 10 V

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВA

Width

1.25мм

Вес, г

0.02

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.3 ns, 3.3 ns

Время спада

3.1 ns, 3.1 ns

Высота

0.8мм

Длина

2мм

Другие названия товара №

2N7002DW H6327 SP000917596

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Квалификация

AEC-Q101

Количество каналов

2 Channel

Количество элементов на ИС

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

200 mS, 200 mS

Максимальная рабочая температура

+150 C

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 C

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Номер канала

Поднятие

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

OptiMOS

Технология

Тип канала

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

5.5 ns, 5.5 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns, 3 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

0.4 nC @ 10 V

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-363-6

Число контактов

Ширина

1.25мм

Полевой МОП-транзистор Infineon OptiMOS ™ с двойным питанием

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?