2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

Модель:

2N7002DWH6327XTSA1

Артикул:

8002673067

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

14 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

Base Product Number:

2N7002 -&gt,

Brand:

Infineon

Channel Mode:

Поднятие

Channel Type:

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

300mA

Drain to Source Voltage (Vdss):

60V

ECCN:

EAR99

FET Feature:

Logic Level Gate

FET Type:

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

0.6nC @ 10V

HTSUS:

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки:

300 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

20pF @ 25V

Length:

2мм

Maximum Continuous Drain Current:

300 мА

Maximum Drain Source Voltage:

60 В

Maximum Gate Source Voltage:

-20 В, +20 В

Maximum Gate Threshold Voltage:

2.5V

Maximum Operating Temperature:

+150 C

Minimum Operating Temperature:

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Surface Mount

Operating Temperature:

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package:

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case:

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Package Type:

SOT-363 (SC-88)

Pd - рассеивание мощности:

500 mW

Power - Max:

500mW

Qg - заряд затвора:

600 pC

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

3Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

1.6 Ohms

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Series:

OptiMOS

Supplier Device Package:

PG-SOT363-6

Transistor Configuration:

Изолированный

Transistor Material:

Кремний

Typical Gate Charge @ Vgs:

0.4 nC @ 10 V

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:

1.5 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

2.5V @ 250ВA

Width:

1.25мм

Вес, г:

0.02

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

3.3 ns, 3.3 ns

Время спада:

3.1 ns, 3.1 ns

Высота:

0.8мм

Длина:

2мм

Другие названия товара №:

2N7002DW H6327 SP000917596

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Квалификация:

AEC-Q101

Количество каналов:

2 Channel

Количество элементов на ИС:

Конфигурация:

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

200 mS, 200 mS

Максимальная рабочая температура:

+150 C

Максимальное напряжение сток-исток:

60 В

Максимальное пороговое напряжение включения:

2.5V

Максимальное рассеяние мощности:

500 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток:

4 Ω

Материал транзистора:

Кремний

Минимальная рабочая температура:

-55 C

Минимальное пороговое напряжение включения:

1.5V

Номер канала:

Поднятие

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Размер фабричной упаковки:

3000

Серия:

OptiMOS

Технология:

Тип канала:

Тип корпуса:

SOT-363 (SC-88)

Тип монтажа:

Поверхностный монтаж

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

5.5 ns, 5.5 ns

Типичное время задержки при включении:

3 ns, 3 ns

Типичный заряд затвора при Vgs:

0.4 nC @ 10 V

Торговая марка:

Infineon Technologies

Упаковка / блок:

SOT-363-6

Число контактов:

Ширина:

1.25мм

Полевой МОП-транзистор Infineon OptiMOS ™ с двойным питанием

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?