Base Product Number:
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss):
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.6nC @ 4.5V
Id - непрерывный ток утечки:
350 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
50pF @ 10V
Maximum Continuous Drain Current:
310 мА
Maximum Drain Source Resistance:
2 Ω
Maximum Drain Source Voltage:
60 V
Maximum Gate Source Voltage:
-20 В, +20 В
Maximum Gate Threshold Voltage:
2.1V
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
330 мВт
Minimum Gate Threshold Voltage:
1.1V
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Number of Elements per Chip:
1
Operating Temperature:
150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Package Type:
SOT-323 (SC-70)
Pd - рассеивание мощности:
440 mW
Power Dissipation (Max):
275mW (Ta)
Qg - заряд затвора:
0.6 nC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
1.6 Ohms
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->,
Supplier Device Package:
SOT-323
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Transistor Configuration:
Одинарный
Transistor Material:
Кремний
Transistor Mounting:
Surface Mount
Typical Gate Charge @ Vgs:
0.5 nC
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
1.1 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 250ВA
Другие названия товара №:
934064283115
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Количество каналов:
1 Channel
Максимальная рабочая температура:
150 C
Минимальная рабочая температура:
55 C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
60В
Непрерывный Ток Стока:
310мА
Полярность транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1.6В
Продукт:
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки:
3000
Рассеиваемая мощность:
275мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
1Ом
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-323
Тип транзистора:
1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения:
12 ns
Типичное время задержки при включении:
5 ns
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL):
MSL 1 - Безлимитный