Характеристики
Base Product Number:
2N7002 ->,
Channel Mode:
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:
350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss):
60V
Id - непрерывный ток утечки:
350 mA
Maximum Continuous Drain Current:
350 mA
Maximum Drain Source Resistance:
2 Ω
Maximum Drain Source Voltage:
60 В
Maximum Gate Source Voltage:
-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage:
2.1V
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
440 mW
Minimum Gate Threshold Voltage:
1.1V
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Number of Elements per Chip:
1
Pd - рассеивание мощности:
440 mW
Qg - заряд затвора:
0.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
1.6 Ohms
Transistor Configuration:
Одиночный
Typical Gate Charge @ Vgs:
0.5 nC
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
1.1 V
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Минимальная рабочая температура:
55 C
Полярность транзистора:
N-Channel
Продукт:
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки:
3000
Тип транзистора:
1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения:
12 ns
Типичное время задержки при включении:
5 ns
Упаковка / блок:
SOT-23-3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.