Base Product Number
2N7002 ->,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Id - непрерывный ток утечки
350 mA
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Operating Temperature
+150 C
Maximum Power Dissipation
440 mW
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Operating Temperature
-55 C
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Number of Elements per Chip
1
Pd - рассеивание мощности
440 mW
Qg - заряд затвора
0.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
Transistor Configuration
Одиночный
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Тип транзистора
1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения
12 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia