:Base Product Number
2N7002 ->,
:Channel Mode
Enhancement
:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
350mA (Ta)
:Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
:Id - непрерывный ток утечки
350 mA
:Maximum Continuous Drain Current
350 mA
:Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
:Maximum Drain Source Voltage
60 В
:Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
:Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Power Dissipation
440 mW
:Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Mounting Type
Поверхностный монтаж
:Number of Elements per Chip
1
:Pd - рассеивание мощности
440 mW
:Qg - заряд затвора
0.5 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
:Transistor Configuration
Одиночный
:Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Продукт
MOSFET Small Signal
:Размер фабричной упаковки
3000
:Тип транзистора
1 N-Channel Trench MOSFET
:Типичное время задержки выключения
12 ns
:Типичное время задержки при включении
5 ns
:Упаковка / блок
SOT-23-3