Name: 2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92
Brand: Microchip Technology
SKU: 8001877541
Price: 31.0000 RUB

2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

Модель:

2N7000-G

Артикул:

8001877541

Наличие:

1000

Производитель:

Microchip Technology

31 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Характеристики

PCN Packaging:http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD

Base Product Number

2N7000 -&gt,

Brand

Microchip

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Forward Diode Voltage

0.85V

Height

5.33мм

HTSUS

8541.29.0095

Id - непрерывный ток утечки

200 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Length

5.08mm

Maximum Continuous Drain Current

200 мА

Maximum Drain Source Resistance

5.3 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Maximum Gate Source Voltage

30 V

Maximum Power Dissipation

1 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Number of Elements per Chip

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package Type

TO-92

Pd - рассеивание мощности

400 mW

Pin Count

Power Dissipation (Max)

1W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

5 Ohms

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

2N7000

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Одинарный

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs (Max)

В30V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Вид монтажа

Through Hole

Высота

5.33 mm

Длина

5.21 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Количество элементов на ИС

Конфигурация

Single

Конфигурация транзистора

Одинарный

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 mmho

Максимальная рабочая температура

+150 C

Максимальное напряжение затвор-исток

30 В

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Максимальное пороговое напряжение включения

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Минимальная рабочая температура

-55 C

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Номер канала

Поднятие

Подкатегория

MOSFETs

Полярность транзистора

N-Channel

Прямое напряжение диода

0.85V

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

2N7000

Страна происхождения

Технология

Тип канала

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Microchip Technology

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Число контактов

Ширина

4.06mm

SemiconductorsМОП-транзистор 60V 5Ohm

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?