2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

Модель:

2N7000-G

Артикул:

8001877541

Наличие:

1000

Производитель:

Microchip Technology

31 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Default

Характеристики:

PCN Packaging:http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD

Характеристики

Base Product Number:

2N7000 -&gt,

Brand:

Microchip

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

200mA (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss):

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

4.5V, 10V

ECCN:

EAR99

FET Type:

N-Channel

Forward Diode Voltage:

0.85V

Height:

5.33мм

HTSUS:

8541.29.0095

Id - непрерывный ток утечки:

200 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

60pF @ 25V

Length:

5.08mm

Maximum Continuous Drain Current:

200 мА

Maximum Drain Source Resistance:

5.3 Ω

Maximum Drain Source Voltage:

60 В

Maximum Gate Source Voltage:

30 V

Maximum Power Dissipation:

1 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage:

0.8V

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Through Hole

Number of Elements per Chip:

Operating Temperature:

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package:

Bulk

Package / Case:

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package Type:

TO-92

Pd - рассеивание мощности:

400 mW

Pin Count:

Power Dissipation (Max):

1W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

5 Ohms

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Series:

2N7000

Supplier Device Package:

TO-92-3

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration:

Одинарный

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

60 V

Vgs (Max):

В30V

Vgs - напряжение затвор-исток:

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:

800 mV

Vgs(th) (Max) @ Id:

3V @ 1mA

Вид монтажа:

Through Hole

Высота:

5.33 mm

Длина:

5.21 mm

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Количество элементов на ИС:

Конфигурация:

Single

Конфигурация транзистора:

Одинарный

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

100 mmho

Максимальная рабочая температура:

+150 C

Максимальное напряжение затвор-исток:

30 В

Максимальное напряжение сток-исток:

60 В

Максимальное пороговое напряжение включения:

Максимальное рассеяние мощности:

1 Вт

Максимальный непрерывный ток стока:

200 мА

Минимальная рабочая температура:

-55 C

Минимальное пороговое напряжение включения:

0.8V

Номер канала:

Поднятие

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Прямое напряжение диода:

0.85V

Размер фабричной упаковки:

1000

Серия:

2N7000

Страна происхождения:

Технология:

Тип канала:

Тип корпуса:

TO-92

Тип монтажа:

Монтаж на плату в отверстия

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel

Торговая марка:

Microchip Technology

Упаковка:

Bulk

Упаковка / блок:

TO-92-3

Число контактов:

Ширина:

4.06mm

SemiconductorsМОП-транзистор 60V 5Ohm

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?