[]

5 отзывов

2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92

Name: 2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8002540585
Price: 39.0000 RUB

Модель:

2N7000

Артикул:

8002540585

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

39 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

2N7000 -&gt,

Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC

200mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power Dissipation (Max)

400mW (Ta)

Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)

400mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds On - Drain-Source Resistance

5О @ 500mA,10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Одинарный

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs (Max)

В20V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Вес, г

0.21

Высота

5.33мм

Длина

5.2мм

Категория

Малый сигнал

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая температура

+150 C

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Максимальный непрерывный ток стока

200 mA

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 C

Номер канала

Поднятие

Производитель

ON Semiconductor

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Тип канала

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Типичная входная емкость при Vds

20 пФ при 25 В

Число контактов

Ширина

4.19мм

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 60 В 200 мА (Ta) 400 мВт (Ta) сквозное отверстие TO-92-3