2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92

Модель:

2N7000

Артикул:

8002540585

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

39 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

Base Product Number:

2N7000 -&gt,

Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC:

200mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

200mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss):

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

4.5V, 10V

ECCN:

EAR99

FET Type:

N-Channel

HTSUS:

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

50pF @ 25V

Minimum Gate Threshold Voltage:

-0.8V

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Through Hole

Operating Temperature:

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package:

Bulk

Package / Case:

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Power Dissipation (Max):

400mW (Ta)

Power Dissipation-Max (Ta=25ВC):

400mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds On - Drain-Source Resistance:

5О @ 500mA,10V

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package:

TO-92-3

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration:

Одинарный

Transistor Polarity:

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

60V

Vgs (Max):

В20V

Vgs - Gate-Source Voltage:

3V @ 1mA

Vgs(th) (Max) @ Id:

3V @ 1mA

Вес, г:

0.21

Высота:

5.33мм

Длина:

5.2мм

Категория:

Малый сигнал

Количество элементов на ИС:

Максимальная рабочая температура:

+150 C

Максимальное напряжение затвор-исток:

-20 В, +20 В

Максимальное напряжение сток-исток:

60 В

Максимальное рассеяние мощности:

400 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток:

5 Ω

Максимальный непрерывный ток стока:

200 mA

Материал транзистора:

Кремний

Минимальная рабочая температура:

-55 C

Номер канала:

Поднятие

Производитель:

ON Semiconductor

Размеры:

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Тип канала:

Тип корпуса:

TO-92

Тип монтажа:

Монтаж на плату в отверстия

Типичная входная емкость при Vds:

20 пФ при 25 В

Число контактов:

Ширина:

4.19мм

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 60 В 200 мА (Ta) 400 мВт (Ta) сквозное отверстие TO-92-3

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7000-FAI, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 200мА, 400мВт, TO92

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?