2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

Модель:

2N7000-D26Z

Артикул:

8002865168

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

47 ₽

1 шт

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

2N7000 -&gt,

:Brand

ON Semiconductor

:Channel Mode

Enhancement

:Channel Type

:Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC

200mA

:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

200mA (Ta)

:Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

:ECCN

EAR99

:FET Type

N-Channel

:Height

5.33mm

:HTSUS

8541.21.0095

:Id - непрерывный ток утечки

200 mA

:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

:Length

5.2mm

:Maximum Continuous Drain Current

200 mA

:Maximum Drain Source Resistance

9 Ω

:Maximum Drain Source Voltage

60 V

:Maximum Gate Source Voltage

-40 V, +40 V

:Maximum Gate Threshold Voltage

:Maximum Operating Temperature

+150 C

:Maximum Power Dissipation

400 mW

:Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

:Minimum Operating Temperature

-55 C

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Through Hole

:Number of Elements per Chip

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

:Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

:Package Type

TO-92

:Pd - рассеивание мощности

400 mW

:Pin Count

:Power Dissipation (Max)

400mW (Ta)

:Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)

400mW

:Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

:Rds On - Drain-Source Resistance

5О @ 500mA,10V

:Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Supplier Device Package

TO-92-3

:Technology

MOSFET (Metal Oxide)

:Transistor Configuration

Single

:Transistor Material

:Transistor Polarity

N Channel

:Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

:Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

:Vgs (Max)

В20V

:Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

:Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

:Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

:Width

4.19mm

:Вес, г

:Вид монтажа

Through Hole

:Высота

5.33 mm

:Длина

5.2 mm

:Другие названия товара №

2N7000_D26Z

:Канальный режим

Enhancement

:Категория продукта

МОП-транзистор

:Количество каналов

1 Channel

:Конфигурация

Single

:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.1 S

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Минимальная рабочая температура

55 C

:Подкатегория

MOSFETs

:Полярность транзистора

N-Channel

:Продукт

MOSFET Small Signal

:Прямое напряжение диода

1.5V

:Размер фабричной упаковки

2000

:Серия

2N7000

:Технология

:Тип канала

:Тип корпуса

TO-92

:Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

:Тип продукта

MOSFET

:Тип транзистора

1 N-Channel

:Торговая марка

ON Semiconductor

:Упаковка

Reel, Cut Tape

:Упаковка / блок

TO-92-3

:Число контактов

:Ширина

4.19мм

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?