2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

Модель:

2N7000-D26Z

Артикул:

8002865168

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

47 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

Base Product Number:

2N7000 -&gt,

Brand:

ON Semiconductor

Channel Mode:

Enhancement

Channel Type:

Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC:

200mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

200mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss):

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

4.5V, 10V

ECCN:

EAR99

FET Type:

N-Channel

Height:

5.33mm

HTSUS:

8541.21.0095

Id - непрерывный ток утечки:

200 mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

50pF @ 25V

Length:

5.2mm

Maximum Continuous Drain Current:

200 mA

Maximum Drain Source Resistance:

9 Ω

Maximum Drain Source Voltage:

60 V

Maximum Gate Source Voltage:

-40 V, +40 V

Maximum Gate Threshold Voltage:

Maximum Operating Temperature:

+150 C

Maximum Power Dissipation:

400 mW

Minimum Gate Threshold Voltage:

0.8V

Minimum Operating Temperature:

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Through Hole

Number of Elements per Chip:

Operating Temperature:

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package:

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case:

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package Type:

TO-92

Pd - рассеивание мощности:

400 mW

Pin Count:

Power Dissipation (Max):

400mW (Ta)

Power Dissipation-Max (Ta=25ВC):

400mW

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

5Ohm @ 500mA, 10V

Rds On - Drain-Source Resistance:

5О @ 500mA,10V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

1.2 Ohms

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package:

TO-92-3

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration:

Single

Transistor Material:

Transistor Polarity:

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

60V

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

60 V

Vgs (Max):

В20V

Vgs - Gate-Source Voltage:

3V @ 1mA

Vgs - напряжение затвор-исток:

20 V

Vgs(th) (Max) @ Id:

3V @ 1mA

Width:

4.19mm

Вес, г:

Вид монтажа:

Through Hole

Высота:

5.33 mm

Длина:

5.2 mm

Другие названия товара №:

2N7000_D26Z

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Конфигурация:

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

0.1 S

Максимальная рабочая температура:

+150 C

Минимальная рабочая температура:

55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Продукт:

MOSFET Small Signal

Прямое напряжение диода:

1.5V

Размер фабричной упаковки:

2000

Серия:

2N7000

Технология:

Тип канала:

Тип корпуса:

TO-92

Тип монтажа:

Монтаж на плату в отверстия

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel

Торговая марка:

ON Semiconductor

Упаковка:

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок:

TO-92-3

Число контактов:

Ширина:

4.19мм

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?