Характеристики
Automotive Standard:
AEC-Q200
Dielectric Material Family:
Tantalum
Dimensions:
6 x 3.2 x 2.5mm
Dissipation Factor (%):
8
Electrolyte Type:
Твердое вещество
Equivalent Series Resistance:
900мОм
Equivalent Series Resistance Type:
Standard
Fail Safe with Built-in Fuse:
No
High Shock and Vibrating:
Yes
Maximum Operating Temperature:
+125C
Minimum Operating Temperature:
-55C
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Special Features:
Molded Case
Коэффициент рассеяния:
8%
Минимальная рабочая температура:
-55C
Напряжение:
10В пост. тока
Семейство диэлектрических материалов:
Тантал
Тип электролита:
Твердое вещество
Эквивалентное последовательное сопротивление:
900мОм
293D107X9010C2TE3 — это электролитический танталовый конденсатор, предназначенный для применения в устройствах, где важна высокая надежность и долговечность. Он используется в схемах стабилизации напряжения, фильтрации и энергоснабжения, обеспечивая стабильную работу в условиях повышенных токов и напряжений.
293D107X9010C2TE3 отличается высокой ёмкостью при компактных размерах и долгим сроком службы, что делает его идеальным выбором для применения в медицине, аэрокосмической промышленности, а также в автомобильной и мобильной электронике. Этот конденсатор обладает отличной устойчивостью к тепловым и электрическим перегрузкам, минимизируя риск выхода из строя.
293D107X9010C2TE3 гарантирует стабильную работу в сложных и критичных условиях, что делает его отличным выбором для создания надежных и высокоэффективных систем, требующих долговечных и точных компонентов.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.