Dimensions
2.85 x 1.7 x 1.25mm
Diode Configuration
Single
Diode Technology
Кремниевое соединение
Maximum Diode Capacitance
2pF
Maximum Forward Current
150mA
Maximum Forward Voltage Drop
1V
Maximum Operating Temperature
+150 C
Maximum Reverse Voltage
50V
Minimum Operating Temperature
-55 C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Pd - рассеивание мощности
410 mW
Vf - прямое напряжение
1 V
Vr - обратное напряжение
50 V
Время восстановления
4 ns
Категория продукта
Диоды - общего назначения, управление питанием, ко
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальная ёмкость диода
2 pF
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное падение прямого напряжения
1V
Максимальный ток перегрузки
500 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Пиковое обратное напряжение
75 V
Подкатегория
Diodes Rectifiers
Размер фабричной упаковки
3000
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип продукта
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Полупроводники\Диоды\Универсальные диоды\Универсальные диоды SMD Импульсные диоды малой мощности, Vishay Semiconductor