:Base Product Number
1N4150 ->,
:Capacitance @ Vr, F
2.5pF @ 0V, 1MHz
:Current - Average Rectified (Io)
150mA
:Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 50V
:Dimensions
1.7 (Dia.) x 3.9mm
:Diode Configuration
Single
:Diode Technology
Кремниевое соединение
:Maximum Diode Capacitance
2.5pF
:Maximum Forward Current
300mA
:Maximum Forward Voltage Drop
1V
:Maximum Operating Temperature
+175 C
:Maximum Reverse Voltage
50V
:Mounting Type
Through Hole
:Number of Elements per Chip
1
:Количество элементов на ИС
1
:Конфигурация диода
Одинарный
:Максимальное падение прямого напряжения
1V
:Размеры
1.7 (Dia.) x 3.9mm
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия