Фоторезист сухой пленочный ПФ-ВЩ водно-щелочного проявления производится по ТУ 6-43-1568-93.
Модифицированный пленочный фоторезист водно-щелочного проявления ПФ-ВЩ применяется в производстве радиоэлектронной аппаратуры на этапах получения электропроводящих слоев требуемой конфигурации однослойных или многослойных печатных плат по негативной или позитивной технологии.
Фоторезист представляет собой слой несеребрянного светочувствительного материала, нанесенного на полиэтилентерефталатную пленочную основу. Поверхность светочувствительного слоя защищена полиэтиленовой пленкой, которая удаляется перед началом работ с фоторезистом.
Гальваностойкость экспонированного фоторезиста обеспечивает качественное осаждение слоя металла из электролита с pH менее 7. Химическая стойкость экспонированного фоторезиста и обеспечивает обработку в растворах с pH до 10 в течение минуты и более при температуре раствора 18-25°C
Технические характеристики
• Толщина светочувствительного слоя: 50 мкм
• Разрешающая способность: 102 мкм
• Время экспонирования в диапазоне 320-420 нм (лампой ДРТГ-3000), не более 35сек
• Размеры: 300х1000 мм