5 отзывов

CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 375Вт, D2PAK

Name: CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 375Вт, D2PAK
Brand: Texas Instruments
SKU: 9000643727
Price: 660.0000 RUB

Модель:

CSD19536KTTT

Артикул:

9000643727

Наличие:

1000

Производитель:

Texas Instruments

660 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Brand

Texas Instruments

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Maximum Continuous Drain Current

272 A

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Maximum Operating Temperature

+175 C

Maximum Power Dissipation

375 W

Minimum Operating Temperature

-55 C

Mounting Type

Surface Mount

Number of Elements per Chip

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

Series

NexFET

Transistor Configuration

Single

Width

9.65mm

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

С этим товаром часто заказывают

Цена: 35 р. 123 р. B65717-J1010-R1, TT23x11, Каркас Артикул: 480826321

Цена: 15 р. 123 р. B65812-A2203, RM8, Скоба Артикул: 43924

Цена: 140 р. 123 р. B66424W1012D001, EFD30*15*9 каркас 1сек 12выв max t 180 Артикул: 8290501916

Цена: 310 р. 123 р. B65811J0160A087 Артикул: 8003721022

Цена: 200 р. 123 р. B66362W1014T001, горизонтальный Артикул: 8004552134

Цена: 15 р. 123 р. B65814-A2203 (B65814-B2203) , RM10, Скоба Артикул: 57550

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги