5 отзывов

CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 375Вт, D2PAK

Name: CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 375Вт, D2PAK
Brand: Texas Instruments
SKU: 9000643727
Price: 660.0000 RUB

Модель:

CSD19536KTTT

Артикул:

9000643727

Наличие:

1000

Производитель:

Texas Instruments

660 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Brand

Texas Instruments

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Maximum Continuous Drain Current

272 A

Maximum Drain Source Resistance

2.8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Maximum Operating Temperature

+175 C

Maximum Power Dissipation

375 W

Minimum Operating Temperature

-55 C

Mounting Type

Surface Mount

Number of Elements per Chip

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

Series

NexFET

Transistor Configuration

Single

Width

9.65mm

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

С этим товаром часто заказывают

Цена: 290 р. 123 р. B65808N1004D001, Каркас с выводами, вертикальный, Назначение RM6, Кол-во выв 4 Артикул: 8002551586

Цена: 350 р. 123 р. B65812N1008D001, Каркас с выводами, горизонтальный, Назначение RM8, Кол-во выв 8 Артикул: 8002565223

Цена: 48 р. 123 р. B65888-A2002, RM14, Скоба Артикул: 1191

Цена: 34 р. 123 р. B66208-A2010, E25/13/7, Скоба Артикул: 16879

Цена: 72 р. 123 р. B65812P2203X000, Зажим, Назначение RM8LP, Мат-л нержавеющая сталь Артикул: 8002536432

Цена: 63 р. 123 р. B66424B2000X000 Артикул: 8001685129

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги