Вес, г0.02
СерияBC847AL
Высота0.94 mm
Ширина1.3 mm
Длина2.9 mm
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
ПодкатегорияTransistors
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandON Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Base Product NumberBC847 -&gt,
HTSUS8541.21.0075
REACH StatusREACH Unaffected
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width2.64mm
Length3.04mm
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height1.11mm
Dimensions3.04 x 2.64 x 1.11mm
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ТехнологияSi
Package TypeSOT-23
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / блокSOT-23-3
Pd - рассеивание мощности225 mW
Pin Count3
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationSingle
Полярность транзистораNPN
Maximum Operating Frequency100 MHz
Maximum Power Dissipation300 mW
Current - Collector Cutoff (Max)15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage0.6 V
Maximum Collector Base Voltage50 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Minimum DC Current Gain110
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Frequency - Transition100MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.6 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz