2N7002PW.115, Транзистор: N-MOSFET

5 отзывов
Модель
2N7002PW,115
Артикул
8008637253
Наличие
1000
Производитель
Nexperia

16 р.

Информация о товаре

Вес, г
0.1
Высота
1 mm
Ширина
1.35 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Nexperia
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
Nexperia
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
2N7002 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Количество каналов
1 Channel
REACH Status
REACH Unaffected
Minimum Operating Temperature
-55 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Width
1.35mm
Length
2.2mm
Конфигурация
Single
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height
1mm
Package / Case
SC-70, SOT-323
Технология
Si
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Supplier Device Package
SOT-323
Упаковка / блок
SOT-323-3
Pd - рассеивание мощности
310 mW
Время нарастания
4 ns
Время спада
5 ns
Pin Count
3
Power Dissipation (Max)
260mW (Ta)
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки
310 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
1 N-Channel Trench MOSFET
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
Qg - заряд затвора
0.6 nC
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Канальный режим
Enhancement
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки при включении
3 ns
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Material
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)
В20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250ВA

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?