Вес, г0.1
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Длина2.2 mm
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
ПродуктMOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаNexperia
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandNexperia
Mounting TypeSurface Mount
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Количество каналов1 Channel
REACH StatusREACH Unaffected
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width1.35mm
Length2.2mm
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height1mm
Package / CaseSC-70, SOT-323
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeSOT-323 (SC-70)
Supplier Device PackageSOT-323
Упаковка / блокSOT-323-3
Pd - рассеивание мощности310 mW
Время нарастания4 ns
Время спада5 ns
Pin Count3
Power Dissipation (Max)260mW (Ta)
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Drain Source Voltage60 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки310 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel Trench MOSFET
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Qg - заряд затвора0.6 nC
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения10 ns
Типичное время задержки при включении3 ns
Maximum Power Dissipation260 mW
Transistor MaterialSi
Minimum Gate Threshold Voltage1.1V
Maximum Continuous Drain Current310 mA
Maximum Drain Source Resistance1.6 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs0.6 nC
Channel ModeEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage2.4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250ВA