2N7002PS.115, Транзистор N-МОП x2, полевой, 60В, 320мА, 420мВт, SC88

5 отзывов
Модель
2N7002PS.115
Артикул
8002620313
Наличие
1000
Производитель
Nexperia

26 р.

Информация о товаре

Вес, г
0.1
Высота
1мм
Ширина
1.35мм
Длина
2.2мм
Другие названия товара №
934064134115
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Nexperia
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
-55 C
Производитель
Nexperia
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
2N7002 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Количество каналов
2 Channel
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
REACH Status
REACH Unaffected
Конфигурация
Dual
Operating Temperature
150ВC (TJ)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Технология
Si
Supplier Device Package
6-TSSOP
Упаковка / блок
SOT-363-6
Квалификация
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
280 mW
Время нарастания
4 ns
Время спада
4 ns
Число контактов
6
Power - Max
420mW
Количество элементов на ИС
1
Transistor Configuration
Одинарный
Id - непрерывный ток утечки
320 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
2 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1 Ohms
Qg - заряд затвора
800 pC
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Канальный режим
Enhancement
Типичное время задержки выключения
10 нс
Типичное время задержки при включении
3 ns
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Материал транзистора
SI
Максимальный непрерывный ток стока
320 мА
Типичное время задержки включения
3 нс
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
30 пФ при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
320mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250ВA
FET Feature
Logic Level Gate

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?