Вес, г0.1
Высота1мм
Ширина1.35мм
Длина2.2мм
Другие названия товара №934064134115
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
ПродуктMOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаNexperia
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительNexperia
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeSurface Mount
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаSOT-363 (SC-88)
Количество каналов2 Channel
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Размеры2.2 x 1.35 x 1мм
REACH StatusREACH Unaffected
КонфигурацияDual
Operating Temperature150ВC (TJ)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ТехнологияSi
Supplier Device Package6-TSSOP
Упаковка / блокSOT-363-6
КвалификацияAEC-Q101
Pd - рассеивание мощности280 mW
Время нарастания4 ns
Время спада4 ns
Число контактов6
Power - Max420mW
Количество элементов на ИС1
Transistor ConfigurationОдинарный
Id - непрерывный ток утечки320 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора2 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1 Ohms
Qg - заряд затвора800 pC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения10 нс
Типичное время задержки при включении3 ns
Максимальное сопротивление сток-исток2 Ω
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности420 мВт
Материал транзистораSI
Максимальный непрерывный ток стока320 мА
Типичное время задержки включения3 нс
Minimum Gate Threshold Voltage1.1V
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Типичный заряд затвора при Vgs0,6 нКл
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds30 пФ при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage2.4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC320mA
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
FET Type2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250ВA
FET FeatureLogic Level Gate