2N7002H6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT23

5 отзывов
Модель
2N7002H6327XTSA2
Артикул
8002572977
Наличие
1000
Производитель
Infineon Technologies

11 р.

Информация о товаре

Вес, г
0.5
Серия
OptiMOS
Высота
1мм
Ширина
1.3мм
Длина
2.9мм
Другие названия товара №
2N7002 H6327 SP000929182
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon Technologies
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
-55 C
Производитель
Infineon
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
Infineon
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Base Product Number
2N7002 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Тип корпуса
SOT-23
Количество каналов
1 Channel
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
REACH Status
REACH Unaffected
Series
OptiMOSв„ў -&gt,
Minimum Operating Temperature
-55 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Конфигурация
Single
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Категория
Малый сигнал
Технология
Si
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package Type
SOT-23
Supplier Device Package
SOT-23-3
Упаковка / блок
SOT-23-3
Квалификация
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
500 mW
Время нарастания
3.3 ns
Время спада
3.1 ns
Число контактов
3
Pin Count
3
Количество элементов на ИС
1
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки
300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
Qg - заряд затвора
600 pC
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Канальный режим
Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
200 mS
Типичное время задержки выключения
5,5 нс
Типичное время задержки при включении
3 ns
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Material
Кремний
Конфигурация транзистора
Одинарный
Материал транзистора
Кремний
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Типичное время задержки включения
3 нс
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0,4 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
13 пФ при 25 В
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Typical Gate Charge @ Vgs
0.4 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)
В20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВA
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?