Вес, г0.5
СерияOptiMOS
Высота1мм
Ширина1.3мм
Длина2.9мм
Другие названия товара №2N7002 H6327 SP000929182
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительInfineon
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandInfineon
Mounting TypeПоверхностный монтаж
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаSOT-23
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Размеры2.9 x 1.3 x 1мм
REACH StatusREACH Unaffected
SeriesOptiMOSв„ў -&gt,
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КатегорияМалый сигнал
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeSOT-23
Supplier Device PackageSOT-23-3
Упаковка / блокSOT-23-3
КвалификацияAEC-Q101
Pd - рассеивание мощности500 mW
Время нарастания3.3 ns
Время спада3.1 ns
Число контактов3
Pin Count3
Количество элементов на ИС1
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Gate Source Voltage-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Qg - заряд затвора600 pC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.200 mS
Типичное время задержки выключения5,5 нс
Типичное время задержки при включении3 ns
Максимальное сопротивление сток-исток4 Ω
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности500 мВт
Maximum Power Dissipation500 mW
Transistor MaterialКремний
Конфигурация транзистораОдинарный
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока300 мА
Типичное время задержки включения3 нс
Minimum Gate Threshold Voltage1.35V
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Типичный заряд затвора при Vgs0,4 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds13 пФ при 25 В
Maximum Continuous Drain Current300 mA
Typical Gate Charge @ Vgs0.4 nC @ 10 V
Channel ModeПоднятие
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250ВA
Максимальное пороговое напряжение включения2.5V