2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

5 отзывов
Модель
2N7002DWH6327XTSA1
Артикул
8002673067
Наличие
1000
Производитель
Infineon Technologies

14 р.

Информация о товаре

Вес, г
0.02
Серия
OptiMOS
Высота
0.8мм
Ширина
1.25мм
Длина
2мм
Другие названия товара №
2N7002DW H6327 SP000917596
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon Technologies
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
-55 C
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
Infineon
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
2N7002 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Количество каналов
2 Channel
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
REACH Status
REACH Unaffected
Series
OptiMOS
Minimum Operating Temperature
-55 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Width
1.25мм
Length
2мм
Конфигурация
Dual
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Технология
Si
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
Упаковка / блок
SOT-363-6
Квалификация
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
500 mW
Время нарастания
3.3 ns, 3.3 ns
Время спада
3.1 ns, 3.1 ns
Число контактов
6
Power - Max
500mW
Количество элементов на ИС
2
Transistor Configuration
Изолированный
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки
300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
2 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
Qg - заряд затвора
600 pC
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Канальный режим
Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
200 mS, 200 mS
Типичное время задержки выключения
5.5 ns, 5.5 ns
Типичное время задержки при включении
3 ns, 3 ns
Максимальное сопротивление сток-исток
4 Ω
Тип канала
N
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Transistor Material
Кремний
Материал транзистора
Кремний
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Типичный заряд затвора при Vgs
0.4 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Maximum Continuous Drain Current
300 мА
Typical Gate Charge @ Vgs
0.4 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
300mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВA
Минимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
FET Feature
Logic Level Gate

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?