Вес, г0.02
СерияOptiMOS
Высота0.8мм
Ширина1.25мм
Длина2мм
Другие названия товара №2N7002DW H6327 SP000917596
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandInfineon
Mounting TypeSurface Mount
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаSOT-363 (SC-88)
Количество каналов2 Channel
Тип монтажаПоверхностный монтаж
REACH StatusREACH Unaffected
SeriesOptiMOS
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width1.25мм
Length2мм
КонфигурацияDual
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ТехнологияSi
Package TypeSOT-363 (SC-88)
Supplier Device PackagePG-SOT363-6
Упаковка / блокSOT-363-6
КвалификацияAEC-Q101
Pd - рассеивание мощности500 mW
Время нарастания3.3 ns, 3.3 ns
Время спада3.1 ns, 3.1 ns
Число контактов6
Power - Max500mW
Количество элементов на ИС2
Transistor ConfigurationИзолированный
Maximum Drain Source Voltage60 В
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора2 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Qg - заряд затвора600 pC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.200 mS, 200 mS
Типичное время задержки выключения5.5 ns, 5.5 ns
Типичное время задержки при включении3 ns, 3 ns
Максимальное сопротивление сток-исток4 Ω
Тип каналаN
Максимальное рассеяние мощности500 мВт
Transistor MaterialКремний
Материал транзистораКремний
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Типичный заряд затвора при Vgs0.4 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Maximum Continuous Drain Current300 мА
Typical Gate Charge @ Vgs0.4 nC @ 10 V
Channel ModeПоднятие
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC300mA
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
FET Type2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250ВA
Минимальное пороговое напряжение включения1.5V
Максимальное пороговое напряжение включения2.5V
FET FeatureLogic Level Gate