BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23

5 отзывов
Модель
BC847C-7-F
Артикул
8002574111
Наличие
1000
Производитель
Diodes Incorporated

8 р.

Информация о товаре

Вес, г
0.04
Серия
BC847C
Высота
1 mm
Ширина
1.4мм
Длина
3.05 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
65 C
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
DiodesZetex
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BC847 -&gt,
HTSUS
8541.21.0075
Тип корпуса
SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
Minimum Operating Temperature
-65 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Width
1.4mm
Length
3mm
Конфигурация
Single
Operating Temperature
-65ВC ~ 150ВC (TJ)
Height
1.1mm
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология
Si
Package Type
SOT-23
Supplier Device Package
SOT-23-3
Упаковка / блок
SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Число контактов
3
Pin Count
3
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Power - Max
300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Количество элементов на ИС
1
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Single
Полярность транзистора
NPN
Pd - Power Dissipation
300mW
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Maximum Power Dissipation
300 mW
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
420
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Frequency - Transition
300MHz
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
420 at 2 mA, 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
300 MHz

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?