Вес, г0.04
СерияBC847C
Высота1 mm
Ширина1.4мм
Длина3.05 mm
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
ПодкатегорияTransistors
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура65 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandDiodesZetex
Mounting TypeSurface Mount
Base Product NumberBC847 -&gt,
HTSUS8541.21.0075
Тип корпусаSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Minimum Operating Temperature-65 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width1.4mm
Length3mm
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-65ВC ~ 150ВC (TJ)
Height1.1mm
Dimensions3 x 1.4 x 1.1mm
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ТехнологияSi
Package TypeSOT-23
Supplier Device PackageSOT-23-3
Упаковка / блокSOT-23-3
Pd - рассеивание мощности300 mW
Число контактов3
Pin Count3
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Power - Max300mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Количество элементов на ИС1
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationSingle
Полярность транзистораNPN
Pd - Power Dissipation300mW
Maximum Operating Frequency300 MHz
Maximum Power Dissipation300 mW
Current - Collector Cutoff (Max)15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage0.6 V
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Minimum DC Current Gain420
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току420
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Frequency - Transition300MHz
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер0,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база50 V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage0.9 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe420 at 2 mA, 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер600 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz