IRFP460BPBF, N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC

5 отзывов
Модель
IRFP460BPBF
Артикул
8991509978
Наличие
1000
Производитель
Vishay

480 р.

Информация о товаре

Серия
D Series
Высота
20.82mm
Ширина
5.31 mm
Длина
15.87 mm
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Bulk
Вид монтажа
Through Hole
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Minimum Operating Temperature (C)
-55
Maximum Operating Temperature (C)
150
Mounting
Through Hole
Brand
Vishay
Mounting Type
Through Hole
Количество каналов
1 Channel
Series
D Series
Minimum Operating Temperature
-55 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Width
5.31mm
Length
15.87mm
Конфигурация
Single
Height
20.82mm
Технология
Si
Package Type
TO-247AC
Упаковка / блок
TO-247AC-3
Pd - рассеивание мощности
278 W
Время нарастания
31 ns
Время спада
56 ns
Pin Count
3
Configuration
Single
Maximum Power Dissipation (mW)
278000
Standard Package Name
TO-247
Supplier Package
TO-247AC
Package Height
20.7(Max)
PCB changed
3
Lead Shape
Through Hole
Automotive
No
Package Length
15.87(Max)
Package Width
5.31(Max)
Military
No
Number of Elements per Chip
1
Product Category
Power MOSFET
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
250 mOhms
Qg - заряд затвора
85 nC
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
12 S
Типичное время задержки выключения
117 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Material
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Continuous Drain Current (A)
20
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
250@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
85@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
85
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
3094@100V
Typical Fall Time (ns)
56
Typical Rise Time (ns)
31
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
117
Typical Turn-On Delay Time (ns)
24
Tab
Tab
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25C (A)
62
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Operating Junction Temperature (C)
-55 to 150
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
13@100V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
2
Typical Output Capacitance (pF)
152
Typical Reverse Recovery Time (ns)
437
Typical Gate Plateau Voltage (V)
4.2
Maximum Diode Forward Voltage (V)
1.2
Typical Gate to Drain Charge (nC)
28
Typical Gate to Source Charge (nC)
14
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
5900

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?