СерияD Series
Высота20.82mm
Ширина5.31 mm
Длина15.87 mm
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки500
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay / Siliconix
УпаковкаBulk
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
MountingThrough Hole
BrandVishay
Mounting TypeМонтаж на плату в отверстия
Количество каналов1 Channel
SeriesD Series
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width5.31мм
Length15.87мм
КонфигурацияSingle
Height20.82mm
ТехнологияSi
Package TypeTO-247AC
Упаковка / блокTO-247AC-3
Pd - рассеивание мощности278 W
Время нарастания31 ns
Время спада56 ns
Pin Count3
ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation (mW)278000
Standard Package NameTO-247
Supplier PackageTO-247AC
Package Height20.7(Max)
PCB changed3
Lead ShapeThrough Hole
AutomotiveNo
Package Length15.87(Max)
Package Width5.31(Max)
MilitaryNo
Number of Elements per Chip1
Product CategoryPower MOSFET
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Drain Source Voltage500 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки20 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
Qg - заряд затвора85 nC
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.12 S
Типичное время задержки выключения117 ns
Типичное время задержки при включении24 ns
Maximum Power Dissipation278 W
Transistor MaterialКремний
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Continuous Drain Current20 A
Maximum Drain Source Resistance250 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs85 nC @ 10 V
Channel ModeПоднятие
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Maximum Continuous Drain Current (A)20
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)250@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)85@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)85
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3094@100V
Typical Fall Time (ns)56
Typical Rise Time (ns)31
Typical Turn-Off Delay Time (ns)117
Typical Turn-On Delay Time (ns)24
TabTab
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25C (A)62
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Operating Junction Temperature (C)-55 to 150
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum IDSS (uA)1
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)13@100V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)2
Typical Output Capacitance (pF)152
Typical Reverse Recovery Time (ns)437
Typical Gate Plateau Voltage (V)4.2
Maximum Diode Forward Voltage (V)1.2
Typical Gate to Drain Charge (nC)28
Typical Gate to Source Charge (nC)14
Typical Reverse Recovery Charge (nC)5900