СерияIRF
Высота4.83мм
Ширина9.65мм
Длина10.41мм
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки1000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay / Siliconix
УпаковкаTube
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительVishay
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Размеры10.41 x 9.65 x 4.83мм
КонфигурацияSingle
КатегорияМощный МОП-транзистор
ТехнологияSi
Упаковка / блокTO-263-3
Pd - рассеивание мощности125 W
Время нарастания23 ns
Время спада20 ns
Число контактов3
Количество элементов на ИС1
Transistor ConfigurationОдинарный
Id - непрерывный ток утечки8 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток850 mOhms
Qg - заряд затвора63 nC
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4.9 S
Типичное время задержки выключения49 нс
Типичное время задержки при включении14 ns
Максимальное сопротивление сток-исток850 mΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности3,1 Вт
Материал транзистораSI
Максимальный непрерывный ток стока8 A
Типичное время задержки включения14 ns
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное напряжение сток-исток500 В
Типичный заряд затвора при Vgs63 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1300 pF @ 25 V