СерияIRF
Высота9.01мм
Ширина4.7
Длина10.41мм
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки50
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay / Siliconix
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительVishay
BrandVishay
Mounting TypeМонтаж на плату в отверстия
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
Minimum Operating Temperature-55 C
Width4.7mm
Length10.41mm
Height9.01mm
КатегорияМощный МОП-транзистор
ТехнологияSi
Число контактов3
Количество элементов на ИС1
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Drain Source Voltage500 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Типичное время задержки выключения27 нс
Максимальное сопротивление сток-исток850 mΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Максимальное рассеяние мощности125 W
Maximum Power Dissipation125 W
Transistor MaterialКремний
Конфигурация транзистораОдинарный
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока8 A
Типичное время задержки включения12 нс
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное напряжение сток-исток500 V
Типичный заряд затвора при Vgs39 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1100 pF @ 25 V
Maximum Continuous Drain Current8 А
Maximum Drain Source Resistance850 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs39 nC @ 10 V
Channel ModeПоднятие