Высота9.01мм
Ширина4.7мм
Длина10.41мм
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
MountingThrough Hole
ПроизводительVishay
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
КатегорияМощный МОП-транзистор
Число контактов3
Pin Count3
ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation (mW)125000
Standard Package NameTO-220
Supplier PackageTO-220AB
Package Height9.01(Max)
PCB changed3
Lead ShapeThrough Hole
AutomotiveNo
Package Length10.41(Max)
Package Width4.7(Max)
Количество элементов на ИС1
MilitaryNo
Number of Elements per Chip1
Product CategoryPower MOSFET
Transistor ConfigurationОдинарный
Channel TypeN
Типичное время задержки выключения50 ns
Максимальное сопротивление сток-исток550 мΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC10A
Transistor PolarityN Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage400V
Максимальное рассеяние мощности125 W
Материал транзистораSI
Максимальный непрерывный ток стока10 A
Типичное время задержки включения14 ns
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное напряжение сток-исток400 V
Типичный заряд затвора при Vgs63 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1400 пФ при 25 В
Channel ModeEnhancement
Maximum Drain Source Voltage (V)400
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Maximum Continuous Drain Current (A)10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)63(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)63(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1400@25V
Typical Fall Time (ns)24
Typical Rise Time (ns)27
Typical Turn-Off Delay Time (ns)50
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
TabTab
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)125W
Rds On - Drain-Source Resistance550mО @ 6A,10V
Vgs - Gate-Source Voltage4V @ 250uA