СерияIRF
Высота9.01мм
Ширина4.7мм
Длина10.41мм
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки50
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay / Siliconix
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительVishay
Тип корпусаTO-220AB
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
КонфигурацияSingle
КатегорияМощный МОП-транзистор
ТехнологияSi
Упаковка / блокTO-220AB-3
Pd - рассеивание мощности36 W
Время нарастания17 ns
Время спада8.9 ns
Число контактов3
Количество элементов на ИС1
Transistor ConfigurationОдинарный
Id - непрерывный ток утечки3.3 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
Qg - заряд затвора8.2 nC
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.0.8 S
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении8.2 ns
Максимальное сопротивление сток-исток180 мΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности125 W
Материал транзистораSI
Максимальный непрерывный ток стока18 А
Типичное время задержки включения14 ns
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное напряжение сток-исток200 В
Типичный заряд затвора при Vgs70 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1300 пФ при 25 В