Серия2SC5200
Высота26mm
Ширина5 mm
Длина20мм
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
ПодкатегорияTransistors
Размер фабричной упаковки375
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура-50 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTube
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandON Semiconductor
Mounting TypeМонтаж на плату в отверстия
Base Product Number2SC5200 -&gt,
HTSUS8541.29.0075
REACH StatusREACH Unaffected
Minimum Operating Temperature-50 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width5мм
Length20mm
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-50ВC ~ 150ВC (TJ)
Height26mm
Dimensions20 x 5 x 26mm
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
ТехнологияSi
Package TypeTO-264
Supplier Device PackageTO-264-3
Упаковка / блокTO-264-3
Pd - рассеивание мощности150000 mW
Число контактов3
Pin Count3
Current - Collector (Ic) (Max)17A
Power - Max150W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)250V
Количество элементов на ИС1
Максимальная рабочая частота30 MHz
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationSingle
Полярность транзистораNPN
Maximum Operating Frequency30 MHz
Максимальное рассеяние мощности150 Вт
Maximum Power Dissipation150 W
Current - Collector Cutoff (Max)5ВA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 1A, 5V
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 800mA, 8A
Максимальный постоянный ток коллектора15 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.230 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Maximum Collector Base Voltage250 V
Maximum Collector Emitter Voltage250 В
Maximum DC Collector Current17 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Transistor MaterialSi
Minimum DC Current Gain55
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер3 В
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальный пост. ток коллектора17 A
Максимальное напряжение эмиттер-база5 В
Материал транзистораКремний
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току55
Напряжение коллектор-база (VCBO)230 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Frequency - Transition30MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz