Серия2N7000
ХарактеристикиPCN Packaging:http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Высота5.33 mm
Ширина4.06mm
Длина5.21 mm
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки1000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаMicrochip Technology
УпаковкаBulk
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageBulk
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandMicrochip
Mounting TypeThrough Hole
Base Product Number2N7000 -&gt,
HTSUS8541.29.0095
Тип корпусаTO-92
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
REACH StatusREACH Unaffected
Series2N7000
Length5.08mm
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height5.33мм
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeTO-92
Supplier Device PackageTO-92-3
Упаковка / блокTO-92-3
Страна происхожденияTW
Pd - рассеивание мощности400 mW
Число контактов3
Pin Count3
Количество элементов на ИС1
Power Dissipation (Max)1W (Tc)
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Drain Source Voltage60 В
Maximum Gate Source Voltage30 V
Id - непрерывный ток утечки200 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.100 mmho
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток30 В
Максимальное рассеяние мощности1 Вт
Maximum Power Dissipation1 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальный непрерывный ток стока200 мА
Minimum Gate Threshold Voltage0.8V
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Номер каналаПоднятие
Maximum Continuous Drain Current200 мА
Maximum Drain Source Resistance5.3 Ω
Forward Diode Voltage0.85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC200mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В30V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Минимальное пороговое напряжение включения0.8V
Максимальное пороговое напряжение включения3V
Прямое напряжение диода0.85V