2N7000-G, N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92

5 отзывов
Модель
2N7000-G
Артикул
8001877541
Наличие
1000
Производитель
Microchip Technology

31 р.

Информация о товаре

Серия
2N7000
Характеристики
PCN Packaging:http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Высота
5.33 mm
Ширина
4.06mm
Длина
5.21 mm
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Вид монтажа
Through Hole
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
-55 C
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Bulk
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
Microchip
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
2N7000 -&gt,
HTSUS
8541.29.0095
Тип корпуса
TO-92
Количество каналов
1 Channel
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
REACH Status
REACH Unaffected
Series
2N7000
Length
5.08mm
Конфигурация
Single
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height
5.33мм
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Технология
Si
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package Type
TO-92
Supplier Device Package
TO-92-3
Упаковка / блок
TO-92-3
Страна происхождения
TW
Pd - рассеивание мощности
400 mW
Число контактов
3
Pin Count
3
Количество элементов на ИС
1
Power Dissipation (Max)
1W (Tc)
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
Канальный режим
Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
100 mmho
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
30 В
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Maximum Power Dissipation
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальный непрерывный ток стока
200 мА
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Maximum Continuous Drain Current
200 мА
Maximum Drain Source Resistance
5.3 Ω
Forward Diode Voltage
0.85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
200mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
FET Type
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)
В30V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Прямое напряжение диода
0.85V

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?