Количество контактов2
Высота5.2мм
Ширина4мм
Длина4мм
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.40.70.40
TypeChip
Minimum Operating Temperature (C)-40
Maximum Operating Temperature (C)100
MountingThrough Hole
ПроизводительOSRAM Opto Semiconductors
Тип корпуса3 мм (T-1)
Количество каналов1
ПолярностьNPN
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры4 x 4 x 5.2мм
MaterialSilicon
Diameter4(Max)
Number Of Channels1
Типичное время нарастания7мкс
Типичное время затухания7мкс
Number of Channels per Chip1
Pin Count2
Spectrums DetectedInfrared, Ultraviolet, Visible Light
Максимальная определяемая длина волны1150нм
Ток коллектора15mA
Минимальная определяемая длина волны380Нм
Максимальный темновой ток200нА
Максимальный ток освещения7200мкА
Спектральный диапазон чувствительности380 → 1150 нм
Угол половинной чувствительности24
Phototransistor TypePhototransistor
Lens Shape TypeDomed
PolarityNPN
Half Intensity Angle Degrees ()24
Viewing OrientationTop View
Peak Wavelength (nm)860
Maximum Light Current (uA)4500/7200
Maximum Collector Current (mA)15
Maximum Dark Current (nA)200
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)35
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.2
Maximum Power Dissipation (mW)165
Fabrication TechnologyNPN Transistor
Standard Package NameT-1
Supplier PackageT-1
Package Height5.2(Max)
PCB changed2
Lead ShapeThrough Hole
Maximum Rise Time (ns)7000/8000
Maximum Fall Time (ns)7000/8000