Высота2.41мм
Ширина1.4мм
Длина3мм
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.40.70.80
TypeChip
Minimum Operating Temperature (C)-25
Maximum Operating Temperature (C)85
PackagingTape and Reel
ПроизводительOSRAM Opto Semiconductors
Линейка ПродукцииCHIPLED Series
Тип корпусаУстройство бокового обзора
Тип монтажаSurface Mount
Размеры3 x 1.4 x 2.41мм
Количество Выводов2вывод(-ов)
Типичное время нарастания7мкс
Типичное время затухания7мкс
Number of Channels per Chip1
Spectrums DetectedИнфракрасный
Максимальная определяемая длина волны1090нм
Ток коллектора15mA
Минимальная определяемая длина волны770нм
Максимальный темновой ток2нА
Спектральный диапазон чувствительности770 - 1090 нм
Угол половинной чувствительности13
Phototransistor TypePhototransistor
Lens Shape TypeDomed
PolarityNPN
Half Intensity Angle Degrees ()26
Viewing OrientationTop View
Peak Wavelength (nm)870
Maximum Light Current (uA)800
Maximum Collector Current (mA)15
Maximum Dark Current (nA)50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)30
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.17
Fabrication TechnologyNPN Transistor
Standard Package NameSMD
Maximum Rise Time (ns)7000
Maximum Fall Time (ns)7000
Угол обзора26
Стиль Корпуса Транзистора1206
Типичное Значение Длины Волны870нм
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)7