Вес, г0.01
Другие названия товара №934661281215
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаNexperia
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура150 C
Минимальная рабочая температура55 C
ECCNEAR99
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeSurface Mount
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.29.0095
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Рассеиваемая мощность265мВт
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device PackageTO-236AB
Упаковка / блокSOT-23-3
Pd - рассеивание мощности325 mW
Время нарастания7 ns
Время спада5 ns
Power Dissipation (Max)265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Id - непрерывный ток утечки300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN Канал
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.5 Ohms
Qg - заряд затвора0.33 nC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения11 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Transistor MountingSurface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока190мА
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)3Ом
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC190mA (Ta), 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430pC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250ВA