Вес, г0.01
ТипEnhancement
Высота1мм
Другие названия товара №934064283115
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
ПродуктMOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаNexperia
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура150 C
Минимальная рабочая температура55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandNexperia
Mounting TypeПоверхностный монтаж
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Количество каналов1 Channel
REACH StatusREACH Unaffected
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў -&gt,
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width1.35мм
Length2.2мм
КонфигурацияSingle
Рассеиваемая мощность275мВт
Operating Temperature150ВC (TJ)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Package / CaseSC-70, SOT-323
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeSOT-323 (SC-70)
Supplier Device PackageSOT-323
Упаковка / блокSOT323
КвалификацияAEC-Q101
Pd - рассеивание мощности440 mW
Время нарастания6 ns
Время спада7 ns
Pin Count3
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
Power Dissipation (Max)275mW (Ta)
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Drain Source Voltage60 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки350 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN Канал
Тип транзистора1 N-Channel Trench MOSFET
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Qg - заряд затвора0.6 nC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения12 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Maximum Power Dissipation330 мВт
Transistor MaterialКремний
Minimum Gate Threshold Voltage1.1V
Maximum Continuous Drain Current310 мА
Maximum Drain Source Resistance2 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs0.5 nC
Channel ModeПоднятие
Transistor MountingSurface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока310мА
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Maximum Gate Threshold Voltage2.1V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250ВA