2N7002BKW,115, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 310 мА, 1 Ом, SOT-323, Surface Mount

5 отзывов
Модель
2N7002BKW,115
Артикул
8788070221
Наличие
1000
Производитель
Nexperia

75 р.

Информация о товаре

Вес, г
0.01
Тип
Enhancement
Высота
1мм
Другие названия товара №
934064283115
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Nexperia
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
Nexperia
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Base Product Number
2N7002 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Количество каналов
1 Channel
REACH Status
REACH Unaffected
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў -&gt,
Minimum Operating Temperature
-55 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Width
1.35мм
Length
2.2мм
Конфигурация
Single
Рассеиваемая мощность
275мВт
Operating Temperature
150ВC (TJ)
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Технология
Si
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Supplier Device Package
SOT-323
Упаковка / блок
SOT323
Квалификация
AEC-Q101
Pd - рассеивание мощности
440 mW
Время нарастания
6 ns
Время спада
7 ns
Pin Count
3
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Power Dissipation (Max)
275mW (Ta)
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки
350 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N Канал
Тип транзистора
1 N-Channel Trench MOSFET
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 Ohms
Qg - заряд затвора
0.6 nC
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Канальный режим
Enhancement
Типичное время задержки выключения
12 ns
Типичное время задержки при включении
5 ns
Maximum Power Dissipation
330 мВт
Transistor Material
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Continuous Drain Current
310 мА
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC
Channel Mode
Поднятие
Transistor Mounting
Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
310мА
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1Ом
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)
В20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВA

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?