Вес, г0.002
ТипFET
Высота0.93 mm
Ширина1.3 mm
Длина2.92 mm
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
ПродуктMOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаMicrochip Technology
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Рассеиваемая мощность360мВт
Количество Выводов3вывод(-ов)
ТехнологияSi
Упаковка / блокSOT-23-3
Pd - рассеивание мощности360 mW
Id - непрерывный ток утечки115 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN Канал
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.80 mS
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Transistor MountingSurface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока115мА
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)7.5Ом
Стиль Корпуса Транзистораsot-23