Вес, г0.006
Высота1мм
Ширина1.35мм
Длина2.2мм
Максимальная рабочая температура150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
PackagingTape and Reel
MountingSurface Mount
ПроизводительDiodesZetex
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandDiodesZetex
Mounting TypeSurface Mount
Base Product Number2N7002 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаSOT-323 (SC-70)
Тип монтажаSurface Mount
Размеры2.2 x 1.35 x 1мм
REACH StatusREACH Unaffected
Minimum Operating Temperature-55 C
Width1.35мм
Рассеиваемая мощность200мВт
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Height1мм
Package / CaseSC-70, SOT-323
КатегорияМалый сигнал
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeSOT-323 (SC-70)
Supplier Device PackageSOT-323
Число контактов3
Pin Count3
ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation (mW)200
Standard Package NameSOT
Supplier PackageSOT-323
Package Height0.95
PCB changed3
Lead ShapeGull-wing
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
AutomotiveNo
Package Length2.15
Package Width1.3
Количество элементов на ИС1
MilitaryNo
Power Dissipation (Max)200mW (Ta)
Number of Elements per Chip1
Product CategorySmall Signal
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Drain Source Voltage60 В
Channel TypeN
Полярность транзистораN Канал
Типичное время задержки выключения11 ns
Максимальное сопротивление сток-исток13,5 Ω
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC115mA
Transistor PolarityN Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Максимальное рассеяние мощности200 mW
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока115 mA
Типичное время задержки включения7 ns
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds22 пФ при 25 В
Maximum Continuous Drain Current115 mA
Maximum Drain Source Resistance13.5 Ω
Channel ModeПоднятие
Transistor MountingSurface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока115мА
Пороговое Напряжение Vgs2В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)13.5Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Maximum Continuous Drain Current (A)0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7500@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)22@25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns)11
Typical Turn-On Delay Time (ns)7
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)200mW
Rds On - Drain-Source Resistance7.5О @ 50mA,5V
Vgs - Gate-Source Voltage2V @ 250uA
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250ВA