ХарактеристикиИзмерение постоянного напряжения, Диапазон:Разрешение:Точность:Импеданс, 0,4В:0,1мВ:&plusmn,0,5% + 4 е.м.р.:&ge, 40 Мом, 4В:1мВ:10мОм, 1000В:1В:&plusmn,1% + 4 е.м.р., Измерение переменного напряжениясинусоидальное (40&hellip,400Гц), 0,4В:0,1мВ:&plusmn,1,5% + 15 е.м.р.:&ge, 40 МОм, 4В:1мВ:&plusmn,0,8% + 6 е.м.р.:10мОм, 750В:1В:&plusmn,1,0% + 6 е.м.р., Измерение переменного тока(40&hellip,400Гц), Диапазон:Разрешение:Точность, 400 мкА:0,1мкА:&plusmn, 1,5% + 5 е.м.р., 20А:10 мА:&plusmn, 2% + 10 е.м.р., Измерение постоянного тока, 400 мкА:0,1мкА:&plusmn, 1% + 5 е.м.р., 20А:10 мА:&plusmn, 2% + 5 е.м.р., Измерение сопротивления, 400 Ом:0,1 Ом:&plusmn, 0,8% + 5 е.м.р., 4 кОм:1 Ом:&plusmn, 0,8% + 1 е.м.р., 40 MОм:10 кОм:&plusmn, 1,2% + 5 е.м.р., Измерение ёмкости, 4 нФ:1 пФ:&plusmn, 5% + 8 е.м.р., 40 нФ:10 пФ:&plusmn, 3,5% + 8 е.м.р., 200 мкФ:100 нф:&plusmn, 5% + 8 е.м.р., Измерение частоты (Максимальное напряжение 250В), 10 Гц:0,001 Гц:&plusmn, 0,5% + 4 е.м.р., Измерение скважности (Максимальное напряжение 250В), 1...99%:0,1%:1% + 3емр, Измерение температуры(используется контактная термопара), - 50&hellip,400С:1С:&plusmn,1% + 5 е.м.р., Логический пробник, Диапазон:Индикация:Амплитуда, TTL:Вверх:&gt, 2,5 В, CMOS:Вверх:&gt, 4 В, Коэффициент передачи транзистора, Тип:Диапазон:Параметры, NPN или PNP:0&hellip,1000:Ib 15 мкА, Uce 4,5 В, Тест обрыва(прозвонка)Если сопротивление проверяемой цепи меньше 50 Ом &plusmn,10 Ом будет раздаваться звуковой сигнал, если более 400 Ом на дисплее будет отображено 0L. Напряжение разомкнутой цепи 0,5В, Общие характеристики, Условия эксплуатации:Температура: 0...50СОтносительная влажность: 10&hellip,70%, Условия хранения и транспортировки:Температура: -20...60СОтносительная влажность: 10...80% без выпадения конденсата
Высота0.055
Глубина0.185
Ширина0.115
Вес290г (с батареями и защитным чехлом), 0.435
Размеры165х85х47мм
ПитаниеБатареи 1,5В тип ААА (установлены в прибор) 2 шт.
100 Гц0,01 Гц
1 кГц0,1 Гц
10 кГц1 Гц
100 кГц10 Гц
40 мА10 мкА
400 мА100 мкА
400 кОм100 Ом
400 нФ0,1 нФ
4 мкФ1 нФ
40 мкФ10 нФ
1 МГц100 Гц
30 МГц1 кГц
40В10мВ
400В0,1В
4 мА1 мкА
4 A1 мА
40кОм10 Ом
4 MОм1 кОм
401&hellip,1000С&plusmn,1,5% + 15 е.м.р.
Вниз&lt, 0,8 В, &lt, 2 В
Диодный тест(прямое падение напряжения на диоде)Отображается при прямой ток 0,5 мА, обратное постоянное напряжение около 1,5 В.