Вес, г2
СерияIRFZ
Высота15.49 mm
Ширина4.7 mm
Длина10.41 mm
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки50
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay Semiconductors
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура55 C
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Рассеиваемая мощность150Вт
Количество Выводов3вывод(-ов)
ТехнологияSi
Упаковка / блокTO-220-3
Pd - рассеивание мощности150 W
Время нарастания110 ns
Время спада92 ns
Id - непрерывный ток утечки50 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток28 mOhms
Qg - заряд затвора67 nC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.15 S
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Transistor MountingThrough Hole
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Непрерывный Ток Стока50А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.028Ом
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB