Вес, г1.98
СерияIRF
Высота9.01мм
Ширина4.7мм
Длина10.41мм
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки50
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay Semiconductors
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
MountingThrough Hole
ПроизводительVishay
Тип корпусаTO-220AB
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
КонфигурацияSingle
КатегорияМощный МОП-транзистор
ТехнологияSi
Упаковка / блокTO-220-3
Pd - рассеивание мощности125 W
Число контактов3
Pin Count3
ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation (mW)125000
Standard Package NameTO-220
Supplier PackageTO-220AB
Package Height9.01(Max)
PCB changed3
Lead ShapeThrough Hole
AutomotiveNo
Package Length10.41(Max)
Package Width4.7(Max)
Количество элементов на ИС1
MilitaryNo
Number of Elements per Chip1
Product CategoryPower MOSFET
Transistor ConfigurationОдинарный
Channel TypeN
Id - непрерывный ток утечки10 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
Полярность транзистораN-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
Qg - заряд затвора39 nC
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Канальный режимEnhancement
Типичное время задержки выключения25 ns
Максимальное сопротивление сток-исток550 мΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Process TechnologyHEXFET
Максимальное рассеяние мощности125 W
Материал транзистораSI
Максимальный непрерывный ток стока10 A
Типичное время задержки включения11 ns
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное напряжение сток-исток400 V
Типичный заряд затвора при Vgs39 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1100 pF@ 25 V
Channel ModeEnhancement
Maximum Drain Source Voltage (V)400
Maximum Gate Source Voltage (V)30
Maximum Continuous Drain Current (A)10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)39(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)39(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1100@25V
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)31
Typical Turn-Off Delay Time (ns)25
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
TabTab