IRF740LCPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB

5 отзывов
Модель
IRF740LCPBF
Артикул
8002550549
Наличие
1000
Производитель
Vishay

210 р.

Информация о товаре

Вес, г
1.98
Серия
IRF
Высота
9.01мм
Ширина
4.7мм
Длина
10.41мм
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
50
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка
Tube
Вид монтажа
Through Hole
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
-55 C
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Minimum Operating Temperature (C)
-55
Maximum Operating Temperature (C)
150
Mounting
Through Hole
Производитель
Vishay
Тип корпуса
TO-220AB
Количество каналов
1 Channel
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Конфигурация
Single
Категория
Мощный МОП-транзистор
Технология
Si
Упаковка / блок
TO-220-3
Pd - рассеивание мощности
125 W
Число контактов
3
Pin Count
3
Configuration
Single
Maximum Power Dissipation (mW)
125000
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Package Height
9.01(Max)
PCB changed
3
Lead Shape
Through Hole
Automotive
No
Package Length
10.41(Max)
Package Width
4.7(Max)
Количество элементов на ИС
1
Military
No
Number of Elements per Chip
1
Product Category
Power MOSFET
Transistor Configuration
Одинарный
Channel Type
N
Id - непрерывный ток утечки
10 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток
400 V
Полярность транзистора
N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
Qg - заряд затвора
39 nC
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Типичное время задержки выключения
25 ns
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Process Technology
HEXFET
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Материал транзистора
SI
Максимальный непрерывный ток стока
10 A
Типичное время задержки включения
11 ns
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное напряжение сток-исток
400 V
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1100 pF@ 25 V
Channel Mode
Enhancement
Maximum Drain Source Voltage (V)
400
Maximum Gate Source Voltage (V)
30
Maximum Continuous Drain Current (A)
10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
39(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
39(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1100@25V
Typical Fall Time (ns)
20
Typical Rise Time (ns)
31
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
25
Typical Turn-On Delay Time (ns)
11
Tab
Tab

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?