Вес, г0.21
Высота5.33мм
Ширина4.19мм
Длина5.2мм
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительON Semiconductor
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageBulk
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Base Product Number2N7000 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаTO-92
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры5.2 x 4.19 x 5.33мм
REACH StatusREACH Unaffected
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
КатегорияМалый сигнал
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device PackageTO-92-3
Число контактов3
Количество элементов на ИС1
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Transistor ConfigurationОдинарный
Максимальное сопротивление сток-исток5 Ω
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC200mA
Transistor PolarityN Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Максимальное рассеяние мощности400 мВт
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока200 mA
Minimum Gate Threshold Voltage-0.8V
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds20 пФ при 25 В
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)400mW
Rds On - Drain-Source Resistance5О @ 500mA,10V
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA