2N7000-D26Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 0,4Вт, TO92

5 отзывов
Модель
2N7000-D26Z
Артикул
8002865168
Наличие
1000
Производитель
ON Semiconductor

47 р.

Информация о товаре

Вес, г
1
Серия
2N7000
Высота
5.33 mm
Ширина
4.19мм
Длина
5.2 mm
Другие названия товара №
2N7000_D26Z
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
2000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Reel, Cut Tape
Вид монтажа
Through Hole
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
ON Semiconductor
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
2N7000 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Тип корпуса
TO-92
Количество каналов
1 Channel
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
REACH Status
REACH Unaffected
Minimum Operating Temperature
-55 C
Maximum Operating Temperature
+150 C
Width
4.19mm
Length
5.2mm
Конфигурация
Single
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height
5.33mm
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Технология
Si
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package Type
TO-92
Supplier Device Package
TO-92-3
Упаковка / блок
TO-92-3
Pd - рассеивание мощности
400 mW
Число контактов
3
Pin Count
3
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Канальный режим
Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
0.1 S
Тип канала
N
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC
200mA
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Material
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)
400mW
Rds On - Drain-Source Resistance
5О @ 500mA,10V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 1mA
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
FET Type
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)
В20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Прямое напряжение диода
1.5V

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Также рекомендуем

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?