Вес, г1
Серия2N7000
Высота5.33 mm
Ширина4.19мм
Длина5.2 mm
Другие названия товара №2N7000_D26Z
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
ПродуктMOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки2000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаON Semiconductor
УпаковкаReel, Cut Tape
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandON Semiconductor
Mounting TypeThrough Hole
Base Product Number2N7000 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаTO-92
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
REACH StatusREACH Unaffected
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+150 C
Width4.19mm
Length5.2mm
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height5.33mm
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeTO-92
Supplier Device PackageTO-92-3
Упаковка / блокTO-92-3
Pd - рассеивание мощности400 mW
Число контактов3
Pin Count3
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Number of Elements per Chip1
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Drain Source Voltage60 V
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-40 V, +40 V
Id - непрерывный ток утечки200 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.0.1 S
Тип каналаN
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC200mA
Transistor PolarityN Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Maximum Power Dissipation400 mW
Transistor MaterialSi
Minimum Gate Threshold Voltage0.8V
Maximum Continuous Drain Current200 mA
Maximum Drain Source Resistance9 Ω
Channel ModeEnhancement
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)400mW
Rds On - Drain-Source Resistance5О @ 500mA,10V
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 1mA
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Прямое напряжение диода1.5V