Вес, г1.98
СерияHEXFET
Высота16.51мм
Ширина4.82мм
Длина10.66мм
Максимальная рабочая температура+175 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительInfineon
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTube
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Base Product NumberAUIRF540 -&gt,
HTSUS8541.29.0095
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры10.66 x 4.82 x 16.51мм
REACH StatusREACH Unaffected
SeriesHEXFETВ -&gt,
Operating Temperature-55ВC ~ 175ВC (TJ)
Package / CaseTO-220-3
КатегорияМощный МОП-транзистор
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device PackageTO-220AB
Число контактов3
Количество элементов на ИС1
Power Dissipation (Max)92W (Tc)
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки выключения43 нс
Максимальное сопротивление сток-исток26.5 mΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности92 W
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока36 A
Типичное время задержки включения15 нс
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Типичный заряд затвора при Vgs42 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds1770 пФ при 25 В
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1770pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВA